Caracterització a escala nanomètrica de la degradació I. Ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant CAFM
Título de la tesis:
Caracterització a escala nanomètrica de la degradació I. Ruptura dielèctrica del SiO2 en dispositius MOS mitjançant CAFM
Autor/es:
Porti Pujal, Marc
Tipo de documento:
Tesis (Doctoral)
Universidad:
UAB
Departamento:
DEPARTAMENT D'ENGINYERIA ELECTRONICA
Idioma:
Català
Palabras clave:
Fiabilitat del SiO2, Dispositiu MOS, Ruptura dielèctrica
Fecha de la defensa:
4-04-2003
Notas:
Tesis dirigida por: Aymerich Humet, Xavier
Resumen: La progressiva reducció del gruix de l’òxid de porta (SiO2) en dispositius MOS sense el corresponent escalat en tensions, ha donat lloc a l’aparició de mecanismes de fallada (ruptura forta, HBD; ruptura suau, SBD; ruptura progressiva, PBD; o corrents de fuites, SILC) que en limiten la seva fiabilitat. Alguns d’aquests mecanismes, menys severs que la ruptura forta (SBD, PBD i SILC), han plantejat nous interrogants a l’hora d’establir la relació que hi ha entre la ruptura (BD) de l’òxid i la fallada del dispositiu o circuit del qual forma part. Per aquest motiu, a fi de determinar el grau de sen...
Valoración:
Clasificación por
