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Modelo dinámico de incorporación de oxígeno incidente sobre sustratos de silicio durante análisis de espectrometría de masas de iones secundarios



Título de la tesis:
Modelo dinámico de incorporación de oxígeno incidente sobre sustratos de silicio durante análisis de espectrometría de masas de iones secundarios
Autor/es:
Guzmán de la Mata, Berta - Serrano Olmedo, José Javier
Tipo de documento:
Tesis (Doctoral)
Universidad:
E.T.S.I. Telecomunicación (UPM)
Departamento:
Tecnología Electrónica
Idioma:
Castellano
Palabras clave:
APARATOS CIENTIFICOS; TECNOLOGIA DE LA INSTRUMENTACION; SEMICONDUCTORES
Fecha de la defensa:
Abril 2002-01-01
Notas:
Tesis dirigida por: Serrano Olmedo, José Javier

Resumen: LA ESPECTROMETRIA DE MASAS DE IONES SECUNDARIOS ES UNA TECNICA DE ANALISIS QUIMICO DE LA SUPERFICIE DE SOLIDOS CON GRAN MARGEN DINAMICO DE SEÑAL. ESENCIALMENTE, LA TECNICA CONSISTE EN EL PULVERIZADO DE LA SUPERFICIE A ANALIZAR POR INCIDENCIA DE UN HAZ DE IONES EN VACIO. JUNTO A OTROS TIPOS DE PARTICULAS, SE EMITEN IONES QUE SON RECOGIDOS Y ANALIZADOS. EL PRINCIPAL PROBLEMA DE ESTA TECNICA ES QUE DA INFORMACION CUALITATIVA Y NO CUANTITATIVA. NO ES POSIBLE, EN GENERAL, DETERMINAR A PARTIR DE RAZONAMIENTOS DE PRIMEROS PRINCIPIOS LAS CONCENTRACIONES ATOMICAS CORRESPONDIENTES A LAS SEÑALES DE LAS E...
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