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Efectos de una cinética bidemensional de crecimiento sobre la incorporación de impurezas y estructura de semiconductores III-V epitaxiados por haces moleculares



Título de la tesis:
Efectos de una cinética bidemensional de crecimiento sobre la incorporación de impurezas y estructura de semiconductores III-V epitaxiados por haces moleculares
Autor/es:
Silveira Martín, Juan Pedro
Tipo de documento:
Tesis (Doctoral)
Universidad:
Universidad Complutense de Madrid
Departamento:
Departamento de Física de Materiales
Idioma:
Castellano
Palabras clave:
Electrónica
Fecha de la defensa:
2004-10-25
Notas:
La utilización de una cinética de crecimiento bidimensional en la epitaxia por haces moleculares ha permitido la obtención de capas de gas impurificada con silicio, alcanzándose niveles de densidad de portadores de hasta 2 x 10(19) cm-3. Este límite es debido a la existencia del centro dx, que ancla el nivel de ferni. Una caracterización óptica y eléctrica de este tipo de capas muestra la existencia de defectos de alta impurificación (vacantes de galio-silicio donador, vacante de arsenico-silicio aceptor) sin embargo, la densidad de los mismos no supera 2 x 10(18) cm-3, es decir, menor de un 1...
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